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一文帶你深入了解選擇性原子層沉積技術(shù)

點擊次數(shù):1921 更新時間:2018-06-19

 【中國化工儀器網(wǎng) 技術(shù)前沿】很多涉及原子層沉積技術(shù)(ALD)的人都知道,選擇性原子層沉積是當(dāng)今熱議的話題。各類論文、研討會和博文層出不窮,詳盡地解釋了各種可以達(dá)到選擇性生長目的的新方法。從某種意義上說,選擇性ALD運用了長期困擾ALD使用者的效應(yīng),即由于ALD的化學(xué)反應(yīng)特性,薄膜生長的成核現(xiàn)象取決于基底表面。通常來說,在ALD領(lǐng)域人們已經(jīng)在研究如何盡可能減小這種影響。例如,等離子體ALD一般會有可忽略不計的延遲,但對于選擇性ALD來說,成核延遲現(xiàn)象卻被放大了?!   ∮幸馑嫉氖?,雖然等離子體ALD一般沒有成核延遲現(xiàn)象,但它仍然可被用于選擇性ALD。我在埃因霍溫的大學(xué)同事已登載了相關(guān)發(fā)現(xiàn)。它的要點是在等離子體曝光之后再次重復(fù)應(yīng)用抑制劑,這個過程可用視頻中所示的三步ABC ALD方法操作。    以下視頻中解釋了選擇性等離子體ALD技術(shù)的全新概念:    那么問題來了,人們會選擇哪種ALD設(shè)備來研究選擇性ALD呢。我相信我們系統(tǒng)中的一些功能會很有用,例如:    ◆ 可應(yīng)用多種化學(xué)前驅(qū)物。氣箱可容納多路氣體并由MFC進(jìn)行流量控制    ◆ 可應(yīng)用抑制劑分子(如在前驅(qū)物注入過程中通入NH3或CO)    ◆ 將氫基作為抑制劑:在前驅(qū)物注入前使用氫等離子體(或其他等離子體)來抑制特定表面的生長    ◆ 氟化物等離子體:將CFX或F作為抑制劑,在前驅(qū)物注入前使用此等離子體,或進(jìn)行選擇性ALD生長時,即每隔幾個生長周期就在同一個腔體內(nèi)進(jìn)行一次刻蝕的步驟(注意O2等離子體可刻蝕Ru,H2等離子體可刻蝕ZnO)?!    ?用于抑制生長的自組裝單分子膜(SAMS)注入    ◆ 多腔體集成系統(tǒng),比如與感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積(ICP-CVD)腔室(生長非晶硅)、濺射(sputter)腔室或原子層刻蝕(ALE)腔室結(jié)合使用    ◆ 用于原表面改性或刻蝕的基底偏壓    牛津儀器的設(shè)備可實現(xiàn)優(yōu)異的控制效果,包括:    ◆ 通過MFC,快速ALD閥門和快速自動壓力控制,可獲得可調(diào)的前驅(qū)物/氣體注入,以實現(xiàn)一面成核另一面不成核的現(xiàn)象?!    ?使用預(yù)真空室和渦輪增壓分子泵保持系統(tǒng)的的高真空度,以使抑制現(xiàn)象長時間不受影響?!    ?使用等離子體可清潔腔體和恢復(fù)腔體氛圍?!    ?帶實時診斷功能的生長監(jiān)控設(shè)備:橢圓偏正光譜測、質(zhì)譜分析法及發(fā)射光譜法    基于選擇性ALD提出的與刻蝕相結(jié)合的方法再次讓我想到原子尺度工藝處理的問題,我在之前發(fā)表的一篇博文中對此進(jìn)行了討論??梢韵胂?,通過結(jié)合選擇性ALD及其他工藝,可以生長出新的超材料(特異材料)和*結(jié)構(gòu)。例如,通過在選擇性曝光的銅中生長石墨烯,或通過周期性刻蝕同一平面的沉積(例如局部選擇性ALD),可有效地僅在結(jié)構(gòu)側(cè)邊生長材料。因此不論是在普通等離子刻蝕機或帶基底偏壓特性的FlexAL,結(jié)合帶導(dǎo)向的離子曝光法也許會是個優(yōu)勢??偟脕碚f,我很期待能有令人驚喜的新發(fā)現(xiàn),新結(jié)構(gòu)和新材料能在可控的方式下誕生。    編輯點評    原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法(技術(shù))。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面,它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵?!   。ㄔ瓨?biāo)題:科普系列:選擇性原子層沉積技術(shù))
 

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